少子壽命

來源：九域半導體科技（蘇州）有限公司 2024年10月17日 10:19

?少子壽命?是指?光生電子和空穴從一開始在?半導體中產(chǎn)生直到消失的時間。它是半導體材料和器件的一個重要參數(shù)，直接影響器件的性能。少子壽命越長，器件的性能越好。

影響少子壽命的因素主要包括有害的雜質(zhì)和缺陷。去除這些雜質(zhì)和缺陷可以延長少子壽命，而加入能夠產(chǎn)生復(fù)合中心的雜質(zhì)或缺陷則會縮短少子壽命。例如，摻入?Au、?Pt或采用高能粒子束轟擊等都會減少少子壽命。

少子壽命的測試采用了?準穩(wěn)態(tài)光電導（?QSSPC）等方法，可以靈敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應(yīng)等缺陷情況。這種測試方法在?太陽能電池的研發(fā)和生產(chǎn)過程中被廣泛選用，用于監(jiān)控和優(yōu)化制造工藝。

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