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晶閘管是一種具有整流作用的半導體元件。又稱SCR（SiliconControlledRectifier）或可控硅換向器。整流是指將交流電轉變為直流電。具有整流作用的典型電子元件是二極管。二極管和晶閘管的區別在于柵。晶閘管具有稱為柵極的端子，僅當電流通過柵時才表現出整流作用。晶閘管的用途晶閘管用于工業應用，例如蘇打工業和電解電鍍。純堿工業是通過電解鹽水生產燒堿和氫氣的工業。燒堿用作肥皂和洗滌劑的原料。晶閘管產生大的直流電流來電解鹽水。在日常生活中，它用于調節LED照明等。通過使用晶閘管控制流向LE
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電磁開關（英文：Electromaticswitch）是一種結合了電磁接觸器和熱繼電器的開關，電磁接觸器利用電磁鐵的作用來打開和關閉電路，熱繼電器在過載時切斷電路。也稱為磁性開關，用于驅動電動機和遠程控制的開關。電磁接觸器具有三個主觸點，通常與三相電源兼容。還有幾個輔助觸點，其額定電流低于主觸點。它用于為通知開/關狀態或過載的燈和蜂鳴器供電，以及用于自保持電路。熱繼電器檢測過載期間流過的過電流并輸出信號，但它本身不具有中斷電路的能力。因此，它與具有斷路功能的電磁接觸器組合使用。電磁開關的應用與電
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SiCMOSFET是使用化合物半導體SiC（碳化硅）基板代替以往的Si基板的MOSFET。它用作MOSFET（場效應晶體管的一種）的半導體襯底材料。MOSFET用于開關以及放大器等應用。通過使用化合物半導體SiC作為材料的半導體基板，與以往的SiMOSFET相比，能夠降低施加電壓時的電阻值。因此，關斷期間的開關損耗和電源運行期間的功率損耗可以保持在限度。這提高了半導體芯片的性能并降低了晶體管運行所需的冷卻能力，從而實現了更小的產品。SiCMOSFET的應用SiCMOSFET應用于繼電器、開關電源
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測量顯微鏡是一種尺寸測量裝置，可根據使用顯微鏡放大和觀察的圖像來測量尺寸。它結合了具有精確放大倍率的光學顯微鏡、用于比較測量的模板以及用于在平面上精確移動測量工件的XY平臺。使用測量顯微鏡可以進行非接觸式測量，從而可以在不損壞工件的情況下觀察輪廓和表面。測量顯微鏡通常使用遠心光學系統。近年來，一些型號在光學頭中采用了無限遠校正光學系統，可以進行微分干涉觀察和簡單的偏振觀察。測量顯微鏡的使用測量顯微鏡用于相對較小的機械零件、電子設備零件和半導體產品的生產和質量控制。該測量裝置適用于測量小零件和不使
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風力發電機是一種利用風的力量來轉動葉片并通過發電機將旋轉動力轉換成電能的裝置。與火力發電不同，它僅使用自然能源，因此作為清潔發電機而受到關注。由于它們需要安裝在大風大的空間，因此主要安裝在日本的北海道和九州地區。還有海上風力發電機，安裝在海洋上，因此比陸地上有更多的空間，并且可以比陸地上更穩定地發電。它主要用于歐洲。風力發電的優點它是環保的，因為它在發電過程中不排放二氧化碳。由于它以風為能源，只要有風吹就能發電。風力發電的缺點發電時會產生噪音。由于電力是由風力發電，因此發電量很容易受到天氣等因素
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高壓發電機是將來自電力公司的低壓交流電轉換成高壓交流電或直流電的設備。從電力公司輸送來的電本身具有6.6kV或33kV等高電壓，但出于安全考慮，在實際使用電的末端將其轉換為200V或400V等低電壓。當使用需要高電壓運行的設備或使用高電壓進行測試時，需要將這種低電壓轉換為高電壓。根據應用的不同，高壓發生器有多種類型，每種類型都有不同的電壓特性和范圍。產品陣容因制造商而異，但包括直流高壓穩定電源、耐壓測試/絕緣斷路器、沖擊電壓發生器、高壓脈沖發生器和高壓實驗設備。高壓發生器的應用高壓發生器的用途根
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氣體發生器是將氣體轉化為電能的發生器。一種利用燃料燃燒產生的高溫氣體發電的內燃機。燃氣發電機的優點包括燃料成本相對較低、燃料供應穩定、能夠高效發電。另一個優點是它比重油或汽油排放更少的二氧化碳。此外，通過使用沼氣這種環保燃料，可以進一步減少二氧化碳排放。另一方面，燃氣發電機的缺點包括初始投資成本相對較高以及需要燃料供應基礎設施。燃燒會產生廢氣和噪聲，因此需要采取適當的廢氣和噪聲對策。在電力需求不穩定或燃料供應容易的地方，它被用作有用的電源。氣體發生器的使用氣體發生器用于多種應用和領域。它可以用作
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3D激光掃描共焦顯微鏡是一種可以利用激光測量物體表面形狀的顯微鏡。有一些具有類似功能的顯微鏡配備了懸臂等接觸式探針，但由于它們接觸表面，因此存在損壞或損壞樣品的風險。另一方面，形狀分析激光顯微鏡使用光反射，因此可以進行非接觸檢查。光學系統與一般共焦激光顯微鏡相同，但為了獲得3D信息，市場上有許多產品通過采用高速MEMS掃描儀和共振掃描儀來縮短掃描時間。形狀分析激光顯微鏡的應用形狀分析激光顯微鏡用于檢查各種產品并尋找問題。特別是半導體元件和印刷電路板非常小并且具有精致的表面結構，因此通常使用形狀分
