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小王子介紹有關 ALD 設備的其他信息
1. ALD、CVD、PVD技術的區別
CVD是一種薄膜沉積技術，以“化學氣相沉積"的縮寫命名，PVD是“物理氣相沉積"的縮寫。
由于 ALD 使用氣體，因此也稱為 CVD 的一種。然而，與 CVD 不同，CVD 中氣體分解產生的 SiO2 和 SiNx 等化合物會像灰塵一樣堆積，而 ALD 的不同之處在于它可以一次形成一層薄膜。
PVD是一種利用物理方法而不是氣體形成薄膜的技術。 PVD是在真空中對成膜材料進行加熱、濺射、離子束照射或激光照射，使成膜材料蒸發、分散成顆粒，然后附著沉積在目標物體上的方法。
當使用 ALD 沉積薄膜時，可以在比使用 CVD 和 PVD 沉積薄膜時更窄、更深的結構上沉積薄膜。特別是，ALD技術在尺寸為100納米或更小的孔隙上沉積薄膜時表現出優異的涂覆能力。由于ALD氣體可以深入滲透形成薄膜，因此即使在具有許多小孔的物體上也具有涂覆能力的技術。
2. ALD設備的全球市場
預計到 2028 年，全球 ALD 市場將達到 65 億美元。在目前的薄膜成型市場中，CVD占據了大部分。其中，ALD技術不僅在半導體器件的制造過程中發揮著非常重要的作用，而且還具有較高的沉積性能和生產速度。因此，ALD技術被認為是一個將持續增長并不斷發展其自身重要性的市場。
