德國FITOK原子層沉積隔膜閥ALD系列的介紹

時間：2024/8/22閱讀：506

德國FITOK原子層沉積隔膜閥ALD系列的介紹

半導體應用-FITOK ALD 系列原子層沉積隔膜閥

圖一.jpg

簡介

原子層沉積 (Atomic Layer Deposition) 是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。隨著芯片節點尺寸的不斷縮小，傳統沉積技術已達到其極限，在納米級上沉積超薄層需要原子層沉積 (ALD) 技術，該技術可使材料一次沉積一個原子層。FITOK ALD 系列原子層沉積隔膜閥可應用于原子層沉積工藝，在半導體芯片制造的沉積工藝中輸送精確劑量的氣體，以實現先進技術所需的均勻氣體沉積。

特征

1.高速執行下超高循環壽命

2.響應速度快，可在低于 5 ms 內完成閥門開啟和關閉

3.耐熱型延長熱應用場合的執行器壽命

4.全封閉閥座設計，具有優的越的抗膨脹和防污染能力

5.Elgiloy 合金隔膜提高強度和耐腐蝕，使用壽命長

6.高純級 PFA 閥座，廣泛的化學兼容性

7.極少產生顆粒和死區，易吹掃

8.提供帶電感式傳感器、電磁閥組件及加熱棒和熱電偶安裝孔的閥門

技術參數

圖二.jpg

應用

適用于以下半導體領域的原子層沉積 (ALD)工藝

1.晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate）

2.微電子機械系統（MEMS）

3.光電子材料和器件

4.集成電路互連線擴散阻擋層

5.平板顯示器（有機光發射二極管材料，OLED）

6.光學元件

7.太陽能電池

8.各類薄膜（<100 nm）

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德國FITOK原子層沉積隔膜閥ALD系列的介紹

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