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　　JSM-IT800 場發射掃描電鏡特性

　　JSM-IT800整合了我們用于從高分辨率成像到快速元素分析的“浸沒式肖特基Plus場發射電子槍"、創新的電子光學控制系統“Neo Engine"以及無縫GUI系統“SEM Center"，該系統采用一體化JEOL X射線能量色散譜儀(EDS)作為通用平臺，進行快速元素分析。

　　JSM-IT800允許物鏡作為一個更換模塊，提供不同的版本以滿足各種用戶需求。JSM-IT800有五種版本，提供不同的物鏡：混合型物鏡(HL)，這是一種通用FE-SEM；超級混合物鏡（SHL/SHLs，具有不同功能的兩種版本），可實現更高分辨率的觀察和分析；以及新開發的半浸沒式物鏡（i/is，具有不同功能的版本），適用于納米材料、化學、新材料、半導體器件的觀察和分析。

　　此外，JSM-IT800還可以配備新型場發射掃描電鏡(SBED)和多功能背散射電子探測器(VBED)。SBED支持以高響應性獲取圖像，即使在低加速電壓下也能產生清晰的成分襯度，而VBED可以幫助獲取3D、形貌和成分襯度的圖像。因此，JSM-IT800可以幫助用戶獲取豐富多樣德信息并解決測量中的問題。

　　■JSM-IT800熱場發射掃描電子顯微鏡視頻介紹

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　　1.浸沒式肖特基Plus場發射電子槍集成的浸沒式肖特基Plus電子槍和低像差聚光透鏡可實現高亮度。即使低加速電壓下也能獲得充足的探針電流(100nA 5kv),這可幫助用戶在對SEM參數進行微小調整的情況下，進行高分辨觀察、高速元素面分析、EBSD分析、軟X射線分析。

　　2.Neo Engine（New Electron Optical Engine）配備本公司電子光學技術精華的新一代電子光學控制系統，可在調整各種參數的同時進行穩定的觀察。此外，該系統還具有增強的自動功能，更易于使用。

　　AFS ACB

　　樣品：碳基納米錫粒子

　　入射電壓：15kV，WD：2mm，觀察模式：BD，檢測器：UED，倍率：x200,000。

　　3.SEM Center/EDS一體化操作導航“SEM Center"與本公司生產的EDS進行了全面集成，更易于操作。此外，還配備了Smile Navi（可選），可以幫助新手了解如何操作SEM，LIVE-AI(Live Image Visual Enhancer-AI)(可選)，可輕松查看實時圖像；及SMILE VIEWTM Lab，用于快速生成報告。

　　4.LIVE-AI Filter利用AI功能，整合LIVE-AI Filter以實現更高質量的實時圖像。與圖像集成處理不同，這樣可以顯示無殘留圖像的無縫移動實時圖像。這一功能對于快速搜索觀察區域、聚焦和像散調整非常有效。

　　實時圖像比較：

　　樣品：螞蟻外骨骼，入射電壓：0.5kV，SED檢測器：

　　樣品：鐵銹，入射電壓：1kV，SED檢測器

　　5.HL/HLs（Hybrid Lens）、SHL/SHLs（Super Hybrid Lens）、i/is（Semi-in-Lens）

　　JSM-IT800系列了提供多種物鏡可供選擇，以滿足用戶的多種需求。

　　HL版本和SHL版本（包括SHLs版本）配備了電磁/靜電場疊加物鏡。可以對從金屬到納米材料的各種樣本進行高分辨率觀察和分析，特別適用于磁性材料的觀察和分析，例如EBSD分析。

　　i版本和is版本都配備了半浸沒式物鏡，非常適合對傾斜和橫截面樣本進行高分辨率觀察和分析，這是半導體器件故障分析的要素。此外，它還適用于使用高位透鏡內電子探測器(UID)進行觀察。

　　6.高位檢測器UHD（Upper Hybrid Detector）

　　SHL物鏡里標配高位檢測器，可高效檢測樣本中的電子，從而獲得高S/N的圖像。

　　SHL觀察舉例

　　1.氧化鋁顆粒二次電子像

　　入射電壓0.5kV，檢測器：UHD

　　可以觀察顆粒表面的階梯結構，能清楚地看到納米尺度的階梯。

　　2.鋁勃姆石和纖維素納米纖維CNF

　　樣本：IC芯片橫截面（表面蝕刻，鋨鍍層）

　　入射電壓：5.0kV（無BD模式），SHL觀察模式，探測器：UHD、UED（BSE模式）

　　HL觀察舉例

　　i/is version觀察舉例

　　1.光催化顆粒二次電子像

　　JSM-IT800（i）UED檢測器樣品提供：東京大學特聘教授堂免一成這種光催化劑使水分解反應的量子效率接近100%。高分辨率SE圖像清楚地顯示：尺寸小于10 nm的助催化劑顆粒優先沉積在立方顆粒的{100}晶面上，以促進析氫和析氧反應。

　　參考文獻：T.Takata et.al.,"Photocatalytic water splitting with a quantum efficiency of almost unity,"Nature,581,411-414,2020.

　　2.半導體器件（SRAM）內部組成像、電位襯度像、凹凸像

　　觀察條件：入射電壓1kV，WD8mm，觀察模式SIL，檢測器UED、UID、SED，3種信號同時獲取

　　7.新型背散射電子檢測器

　　閃爍體背散射電子檢測器（SBED、選配件）響應性能*，適用于低加速電壓下材料襯度像的采集。多用途背散射電子檢測器（VBED、選配件）適用于3D、凹凸等特色圖像的采集。

　　SBED觀察例

　　VBED觀察例

　　VBED中不同方位的半導體元件接受不同角度的背散射電子。位于內側的元件接受的電子主要反映樣品的成分信息，外側的主要反映其表面凹凸信息，且使用內側半導體元件還能觀察處于AI鍍層深處的熒光物質。