目錄:四川梓冠光電科技有限公司>>硅基芯片>>芯片>> ZGSOI芯片光延時線
一、SOI芯片光延時線的定義
SOI芯片式低偏振相關損耗可調光延時線，該產品基于級聯的高速光開關和延時光路組成，實現大量程、高精度量化可調光延時線的片上集成，本產品通過創新設計實現了超低偏振相關性損耗，芯片尺寸小，集成度高，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
二、SOI芯片光延時線的特點
多通道
高集成度芯片化
高速響應
三、SOI芯片光延時線的應用
光纖傳感
光纖通信
激光雷達
四、SOI芯片光延時線的性能指標
| 參數指標 | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 波長范圍 | nm | 1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm | ||
| 單級熱調功耗 | mW | 100 | ||
| 單級電調功耗 | mW | 10 | ||
| 光纖接入損耗 | dB | 12@9 bit | ||
| 偏振相關損耗 | dB | 0.5 | ||
| 延時量精度 | ps | 30@2048 pS | ||
| 延遲步進 | ps | 2 | ||
| 平坦度 | dB | <0.5 dB@2048 pS | ||
| 響應速率 | Hz | >20kHz@熱調試模式，>10MHz@電調模式 | ||
| 最大延時量 | ps | 1024/2048 或可定制 | ||
| 延時量量化位數 | bit | 10或可定制 | ||
| 通道數 | 1或可定制 | |||
| 工作溫度范圍 | ℃ | -20 | 50 | |
| 工作濕度范圍 | % | +65 | ||
| 芯片尺寸 | mm | 8.1(L)x2.3(W)x0.5(H) | ||
五、SOI芯片光延時線的芯片尺寸
六、四川梓冠光電
訂貨信息
| 波長 | 類型 | 通道數 |
13=1310nm 15=1550nm | 10-2048=10 bit，2048 ps XX=other | 1=1CH，4=4CH，8=8CH，16=CH 48=48CH，XX=0ther |
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