細(xì)胞損傷控制儀 (CIC II) 是一種電子控制的氣動裝置，可用于研究組織培養(yǎng)細(xì)胞對創(chuàng)傷的形態(tài)、生理和生化反應(yīng)。公司，希爾斯伯勒，NC。組織培養(yǎng)物在具有可拉伸 Silastic® 膜底部的培養(yǎng)孔中生長。細(xì)胞損傷控制器調(diào)節(jié)壓縮氣體的流量以快速加壓單個培養(yǎng)孔，從而對培養(yǎng)物造成徑向拉伸損傷。通過控制進(jìn)出密封培養(yǎng)井的氣體流量來確定損傷的嚴(yán)重程度。捕獲峰值壓力，提供徑向拉伸的準(zhǔn)確指標(biāo)。 CIC II 接受 Flex I® 29.45cm2 培養(yǎng)盤（與早期的 CIC 94A 型一起使用）和 BioFlex® 57.75cm2 培養(yǎng)盤。根據(jù)細(xì)胞類型、損傷程度和培養(yǎng)條件，受損細(xì)胞可能會死亡或修復(fù)。因此，該系統(tǒng)可用于研究對創(chuàng)傷的反應(yīng)，包括細(xì)胞損傷、修復(fù)、死亡或藥物干預(yù)。

細(xì)胞損傷控制儀 (CIC II) 采取電子式控制，采取電子式控制，適合腦源性細(xì)胞培養(yǎng)樣品，或其它離體培養(yǎng)細(xì)胞的牽張性損傷模型制作。損傷后可進(jìn)行神經(jīng)生化、形態(tài)學(xué)、生理學(xué)，藥物干預(yù)等方面的研究。 
細(xì)胞損傷控制儀使用Flexcell公司的Tissue Train ? 三維細(xì)胞組織應(yīng)力加載系統(tǒng)。 

創(chuàng)傷性腦損傷是神經(jīng)外科常見的疾病，是導(dǎo)致創(chuàng)傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經(jīng)生化、jingshen病理生理等方面的變化，可為探索行之有效的腦保護(hù)治療提供幫助，將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質(zhì)量。故建立各種便于觀察和施加干預(yù)因素、控制性佳、可分級、可復(fù)制性好并符合人類腦創(chuàng)傷特點(diǎn)的創(chuàng)傷性腦損傷模型，是目前創(chuàng)傷性腦損傷的研究熱點(diǎn)。 

VCU動物顱腦損傷儀可以分為:
液壓顱腦損傷儀(FPI),

電子顱腦損傷儀(eCCI)

細(xì)胞顱腦損傷儀(CIC)

這三種產(chǎn)品己廣泛應(yīng)用于范圍內(nèi)的顱腦創(chuàng)傷研究中心，是目前的顱腦創(chuàng)傷模型制作的。同時,損傷儀還可應(yīng)用到眼科損傷模型，細(xì)胞損傷儀可以應(yīng)用到其它種類細(xì)胞損傷模型的制作。