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層流壓差式質(zhì)量流量控制器原理及介紹

閱讀:441      發(fā)布時(shí)間:2024-12-24
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層流壓差式質(zhì)量流量控制器基于質(zhì)量守恒定律、伯努利方程以及哈根-泊肅葉定律設(shè)計(jì),通過測量流體在管道兩端的壓差來計(jì)算流體的質(zhì)量流量?。

層流壓差原理?:當(dāng)流體在管道中流動(dòng)時(shí),流體速度越快,壓力越低。層流壓差式質(zhì)量流量控制器利用這一原理,在管道中安裝兩個(gè)壓力傳感器,分別測量管道兩端的壓力差?。

?哈根-泊肅葉定律?:在溫度、管徑等參數(shù)一定的情況下,氣體處于層流狀態(tài)時(shí),通過獲取層流元件兩端的壓差信號(hào),可以計(jì)算出體積流量。進(jìn)一步通過溫度、壓力等參數(shù)的修正,可以獲得標(biāo)準(zhǔn)體積流量?。

層流原理圖.png

?整流模塊?:層流流量計(jì)一般具有整流模塊,其作用是將湍流、過渡流等不規(guī)則流動(dòng)狀態(tài)轉(zhuǎn)化為層流運(yùn)動(dòng)狀態(tài),以確保測量的準(zhǔn)確性?。

壓差傳感器?:層流氣體的進(jìn)、出口兩端有兩根引壓孔,引壓孔之間有一個(gè)壓差傳感器,用于獲取兩個(gè)孔的壓差。通過壓差可以獲得層流狀態(tài)下氣體的流速,從而得出氣體流量?。

在半導(dǎo)體工藝環(huán)節(jié)中,MFC助力清洗、氣相沉積、熱處理和刻蝕等操作得以順利進(jìn)行。如CVD、刻蝕機(jī)和高溫爐等。以光刻為例,為了確保半導(dǎo)體芯片的質(zhì)量與性能,氟化氫、氮?dú)夂脱鯕獾葰怏w需以精確的流量注入反應(yīng)室中,每一步操作都經(jīng)過嚴(yán)格控制,確保曝光和蝕刻過程精確無誤。在這個(gè)過程中,MFC(質(zhì)量流量控制器)的作用顯得尤為重要,即使微小的氣流變化也可能會(huì)導(dǎo)致材料的成分發(fā)生變化。對(duì)于半導(dǎo)體工藝而言,無論是高溫環(huán)境還是高真空環(huán)境,MFC需要具備優(yōu)異的溫度和壓力穩(wěn)定性,以確保在各種條件下仍能保持準(zhǔn)確性和可靠性。

易度層流壓差式質(zhì)量流量控制器的優(yōu)點(diǎn):

精度高、寬量程范圍、寬溫度、寬壓力適用范圍、穩(wěn)定性強(qiáng)、無需預(yù)熱即開即用、一臺(tái)可測多種氣體、抗過載能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

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