目錄:北京北埃特光電子技術(shù)有限責(zé)任公司>>紅外探測(cè)器>>紅外氣體探測(cè)器>> PVA-3-d1.2-SMDIII-V族短波紅外探測(cè)器
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更新時(shí)間：2024-12-24 14:02:14瀏覽次數(shù)：2617評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子/電池,航空航天 | 波長響應(yīng)范圍： | 1.3-3.6微米 |
| 工作溫度： | 室溫 | 封裝形式： | SMD |
| 峰值電流響應(yīng)率： | Ri>0.6A/W（典型） | 峰值探測(cè)率： | D*>3.0E9 |
III-V族短波紅外探測(cè)器光敏材料為InAs，符合嚴(yán)苛的歐洲環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)；采用SMD封裝，小型可靠易于安裝；波長響應(yīng)為1.3-3.6微米、覆蓋從短波到中波紅外；線性響應(yīng)范圍寬，響應(yīng)功率從1微瓦到數(shù)毫瓦；無需制冷工作在室溫環(huán)境；適合用于CO、HF、NH3、C2H2、CH4、C2H6、HCI等氣體探測(cè)。
III-V族短波紅外探測(cè)器的主要技術(shù)指標(biāo)：
工作環(huán)境溫度：20 攝氏度；
波長響應(yīng)：1.3-3.6微米
峰值響應(yīng)波長：2.9微米；
峰值電流響應(yīng)率Ri：0.6 A/W;
峰值探測(cè)率D*：>3.0x109
1.3微米處響應(yīng)率：>10%峰值響應(yīng)率；
3.6微米處響應(yīng)率：>10%峰值響應(yīng)率；
響應(yīng)時(shí)間：<45 納秒
封裝：SMD；
入射角：>115 度
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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