日本napson非接觸式渦流法薄層電阻測量儀NC-10/NC-20
使用個人計算機節省空間，易于操作和數據處理
由于它是一種非接觸式渦流方法，因此可以進行測量而不會損壞它。
由于探頭是可拆卸和可更換的，因此可以方便地用每個量程的探頭進行更換。
（*對第二個和后續電阻探頭的可選支持）
中心1點測量
厚度/溫度補償功能（硅晶片）

日本napson非接觸式渦流法薄層電阻測量儀NC-10/NC-20

產品特點

• 使用個人計算機節省空間，易于操作和數據處理
• 由于它是一種非接觸式渦流方法，因此可以進行測量而不會損壞它。
• 由于探頭是可拆卸和可更換的，因此可以方便地用每個量程的探頭進行更換。
• （*對第二個和后續電阻探頭的可選支持）
• 中心1點測量
• 厚度/溫度補償功能（硅晶片）

測量規格

測量目標

半導體/太陽能電池相關材料（硅，多晶硅，SiC等）
 新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
 硅基外延，離子與
 半導體相關的進樣樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
 其他（*請與我們聯系）

測量尺寸

3-8英寸?156 x 156毫米
（可選; 2英寸或12英寸?210 x 210毫米）

日本napson非接觸式渦流法薄層電阻測量儀NC-10/NC-20

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω? cm
（*所有探頭類型的總量程/厚度500um）
[ 抗剪強度] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總量程）

*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）