AFM電磁學工作模式及對應探針型號

PART.1 

Conductive AFM 導電原子力顯微鏡

Conductive AFM (cAFM) — 導電原子力顯微鏡（CAFM）是一種源自接觸AFM的二次成像模式，它表征了中到低導電和半導體材料的導電率變化。CAFM的電流范圍為pA至μA。

PART.2 

Tunneling AFM 峰值力隧穿原子力顯微鏡

Tunneling AFM (TUNA) — 峰值力隧穿原子力顯微鏡（TUNA）的工作原理與導電AFM相似，但具有更高的靈敏度。TUNA表征了通過薄膜厚度的超低電流（80fA和120pA之間）。TUNA模式可以在成像或光譜模式下運行。

PART.3 

Scanning Capacitance Microscopy 掃描電容顯微鏡

Scanning Capacitance Microscopy (SCM) — 掃描電容顯微鏡（SCM）繪制了樣品表面（通常是摻雜半導體）上大多數載流子濃度（電子或空穴）的變化。SCM向樣本施加高頻（90 kHz）AC偏壓，并使用高頻（1 GHz）檢測器測量掃描樣本表面時的局部樣本電容變化。這些電容變化是半導體中多數載流子濃度的函數；因此，相對載流子濃度可以映射在1016–1021 cm-3的范圍內。

Laser Diode Cross Section

PART.4 

Piezo Response Microscopy 壓電力響應顯微鏡

Piezo Response Microscopy (PFM) — 壓電力響應顯微鏡（PFM）是一種基于接觸模式的技術，可繪制樣品上的反向壓電效應。對樣品進行電刺激，并使用鎖定技術監測樣品的地形響應。振幅和相位信息揭示了關于樣品上極化的強度和方向的信息。

PPLN PFM Data

PART.5 

Electric Force Microscopy 靜電力顯微鏡

Electric Force Microscopy (EFM) — 靜電力顯微鏡（EFM）通過導電探針測量樣品表面上方的電場梯度分布。表征樣品表面的靜電勢能，電荷分布及電荷運輸等。

Carbon black particles, 3 mm scan size

常用探針選型：