電流傳感器

傳感器輸出的是電壓信號，并在MEMS器件中進行實際應用，隨著薄膜制備技術的提高，開始涌現出多種制備手段，并且也利用多種技術制備了PZT壓電薄膜，如磁控濺射技術、脈沖激光沉積技術（PLD）、化學氣相沉積（CVD）和金屬化合物氣相沉積技術等。PZT壓電薄膜與非鐵電的ZnO材料相比較，最重要的優點就是PZT材料具有鐵電性，在一定的外加電場和溫度條件下，PZT材料內部電疇發生轉動，自發極化方向重新確定，這樣使得在多晶材料中原本隨機排列的極化軸通過電場的作用取向排列而產生了凈壓電響應。所以PZT材料的壓電性能要高于ZnO材料，是ZnO的兩倍以上。傳感器作用在其兩端面會出現電荷的一大類單晶或多晶的固體材料，原子或原子團經過或濺射的方法沉積在襯底上而形成的，其結構可以是費靜態、多晶甚至是單晶。壓電薄膜制備的器件不需要使用價格昂貴的壓電單晶，只要在襯底上沉積一層很薄的壓電材料，因而具有經濟和省料的特點。而且制備薄膜過程中按照一定取向來沉積薄膜，不需要進行極化定向和切割等工藝。另外，利用壓電薄膜制備的器件應用范圍廣泛、制作簡單、成本低廉，同時其能量轉換效率高，還能與半導體工藝集成，符合壓電器件微型化和集成化的趨勢。這種由“壓力”產生“電”的現象稱為正壓電效應。反之，如果將具有壓電效應的介電體置于外電場中，電場使介質內部正負電荷位移，導致介質產生形變。

 電流傳感器

HAC800-S

 LV100-1200/SP8

LA100-P/SP50

HO10-P/SP50
LT308-S7/SP1
HAT1200-S
LTS25-NP
LF205-S/SP3
HLSR20-P
LT10000-S
HAL200-S
8-4 FQ-SS
YY561120F
SMT 1X0.095-304-CD
C8-8FN-3
Y-50(0-4000psi)
IBF-B-6224-N-D-SS
QR4004SK3PXFSFIF
8-8 FQ-SS
M12MSC1/2N-316
785EN
6A-B6LJ2-SSP
8-6 RB-SS
C4-4FN-3
QR4003SK4PXXFSMIIM
UT12FN-1
E4-4FN-3
8A-C8L-1-SS
GV-MNA-K21-E-M
16 C6LO-S
B4020X120180SS
APR66B4P1XX4
16 HLO-S
QR4000SK3PFSMMMT
Y-50(0-230Psi)
SH8-63
FSCR-64
HF1200WK4PXXFS8FIIF
8 TZ-SS
JN4C-4CN
THT-3R60-25.4-3.2
SH3-62
71-3C16-16F
PM8FN-1
GAMT-888
QR4015SK4PXXFSFIIF8389
UT8FN-1
4-6 VH1T3-SSR
8-8-8 JQ-SS
2F-V4LR-SS
8 BVI-SS
381-12
HF1200SK4PXX8B
VAIEX 1/2
YTF-50H(0-4000Psi)
8-8-8 FT-SS
BNKAD6JNC2-496593C2
2F-MB4LPFA-SSP
BH4-60
CV-1-1166
FLC8
4MSEL2N-316
1NU1-316
KH38ZS
SU12-8GN-1
GAMS-84
1/2X1/4 PTR-S
PM010-10AP-DO