自動炭塊電阻率測定儀   型號：ISO-III
本儀器是用于測定鋁用陰、陽炭塊電阻率的設備。 
研制依據(jù) 
該設備依據(jù)標準ISO11713進行設計制造（國內行業(yè)標準為YS/T63.2-2006）.ISO11713標準中規(guī)定鋁用炭素材料中陰炭塊和預焙陽室溫下電阻率的測定方法是：采用穩(wěn)定直流電流通過一定橫截面積的固定樣品，測出兩個截面之間的電壓降，計算出該試樣的電阻率。 
設備概述 
本公司采用美國進口的氣動探針組，十萬次伸縮*。采用良好的氣動探針組，并利用氣動方法使一次動作、四個探針組同時自動接觸試樣表面，來獲得四組不同的電阻率。這樣可以保證測試結果導電率的zui大平均性，測試方法自動、簡單、可靠。 
設備主要技術指標 
測定方法：按照ISO-11713規(guī)定（YS/T63.2-2005） 
樣品長度：130±0.2mm 
樣品直徑：50mm±0.09mm 
測試電間距：50mm 
測量電流：5A 
電流測量精度：0.01A 
電壓測量精度：0.5%mV 
電源電壓：220V，50Hz 
設備功率：100w 
設備尺寸：950×450×630mm 
設備重量：30kg 
重復性：r＜1.0μΩm自動炭塊電阻率測定儀

產品名稱：智能片劑四用儀  產品型號：SY-3CZ

智能片劑四用儀 型號：SY-3CZ         
智能片劑四用儀，分別用于藥片的硬度、脆碎度、崩解時限、溶出度的測試，是其理想的一機多用藥檢測試儀器。  
●溶出數(shù)量　　３個  
●溫控范圍　　（２０～４０）℃±０．３℃  
●調速范圍　　（２０～２００）ｒｐｍ±２ｒｐｍ  
●定時范圍　　（１～９００）ｍｉｎ±０．５ｍｉｎ  
●槳桿擺動　　±０．５ｍｍ  
●轉籃擺動　　±１．０ｍｍ  
●吊籃數(shù)量　　２個  
●往返頻率　　（３０～３２）次／分  
●往返行程　　（５５±２）ｍｍ  
●圓筒數(shù)量　　１個  
●圓筒尺寸　　內徑２８６ｍｍ　深度３９ｍｍ  
●滑落高度　　１５６ｍｍ  
●圓筒速度　　（２５±１）轉／分  
●圓筒圈數(shù)　　（１００±１）圈  
●硬度范圍　　（２～１９９）Ｎ±１Ｎ  
●直徑范圍　　（ ３～４０）ｍｍ  
●電源　　　　２２０Ｖ／５０Ｈｚ／６００Ｗ  
●外型尺寸　　（５２×３８×４７）ｃｍ３  
主要特點:  
●智能化，自動控制、自動檢測、自動診斷、自動報警。  
●采用磁性水泵循環(huán)水流勻熱系統(tǒng)，水浴溫度均勻。  
●自動控制溫度，溫控精度高。  
●自動控制時間，自動定時停機。  
●可以隨意預置參數(shù)；分時顯示預置值和實時值。  
●溶出三杯三桿，一字單排；機頭部分手動翻轉，平穩(wěn)靈活。  
●溶出轉藍及槳桿等采用進口ＳＵＳ３１６Ｌ不銹鋼。  
●崩解兩路同時運行，自動定時停機。  
●脆碎自動控制圓筒旋轉速度及轉動圈數(shù)控制精度高。  
●硬度高精度壓力傳感器，數(shù)字顯示硬度值。  
●連續(xù)測量片劑的硬度值，人工裝片，電機控制,自動加壓。  
●自動顯示，自動鎖存，自動復位，自動循環(huán)測試  
 

產品名稱：砂表面硬度計/砂表面硬度儀  產品型號：TC-SYS-B

砂表面硬度計/砂表面硬度儀     型號：TC-SYS-B 
TC-SYS-B型砂表面硬度計用于測定砂型（芯）的表面硬度  

　　　　壓縮行程　　　　２.５毫米  
　　　　大負荷　　　　９８０克  
　　　　預壓負荷　　　　５０克  
           壓頭球形　　　　Ｒ為１２.７  
TC-SYS-A、TC-SYS-B、TC-SYS-C型硬度計 
一、概述 A、B、C三種型號的砂型表面硬度計，是用來測定濕模砂型（芯） 的表面硬度，為制訂造型工藝提供技術參數(shù)，其結構由帶齒條壓頭（1）、表頭（2）、表殼（3）、計力彈簧（4）、傳動齒輪（8）、回轉齒輪（14）、指針（15）、調整圈（16）等組成。A型：于手工或機械低中壓造型的細砂型（芯）的表面硬度測試。B型：于手工或機械低中壓造型的細、粗砂型（芯）的表面硬度測試。C型：于造型的砂型表面硬度測試。 
二、主要技術參數(shù) 
 1、精度：（1）       準確度：±2.5% 
（2）       指針指向100和恢復零位允許 ±0.5格。 
（3）       工作環(huán)境溫度：5-50℃ 
 2、外形尺寸：67.5X48.5X29 
 3、技術參數(shù)： 
名稱/參數(shù)/型號A型B型C型 
壓縮行程250MM2.50MM2.50MM 
大負荷237g980g1500g 
予壓負荷90g50g180g

產品名稱：雜質濃度測試儀 產品型號： KDB-1A

產品簡介 
原理：根據(jù)硅、鍺單晶的遷移率、電阻率和雜質濃度的關系，可直接測量、計算出晶體內的雜質濃度。  
范圍：它適合于測量橫截面尺寸是可測量的，而且棒的長度大于橫截面線度的有規(guī)則的長棒，例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。  
用途：根據(jù)測量沿錠長雜質濃度的分布狀況決定產品的合格部分，通過雜質濃度的直接測量，決定晶體生長過程中的摻雜數(shù)量。  
樣品可在常溫或低溫下測量。  
顯示方式：儀器連接PC機，通過測試軟件計算，用對數(shù)坐標的方式來顯示雜質濃度（含次方數(shù)）沿錠長的分布曲線，可對曲線圖進行打印和保存。  
測量范圍： 可測晶體電阻率：0.005-3000Ω·cm。  
直流數(shù)字電壓表測量范圍：0-199.99mV，靈敏度：10μA。