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西安立鼎光電科技有限公司>供求商機(jī)>JEA系列-紫外碳化硅SiC光電探測器(190nm-400nm)
JEA系列-紫外碳化硅SiC光電探測器(190nm-400nm)
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  • JEA系列-紫外碳化硅SiC光電探測器(190nm-400nm)

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貨物所在地: 陜西西安市
產(chǎn)地: 德國
更新時(shí)間: 2025-04-16 21:00:08
期: 2025年4月16日--2025年10月16日
已獲點(diǎn)擊: 1180
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(聯(lián)系我們,請說明是在 化工儀器網(wǎng) 上看到的信息,謝謝!)

產(chǎn)品簡介

IFW成立于1981年,是專業(yè)生產(chǎn)SIC紫外探測器的一家公司,擁有20多年的歷史。產(chǎn)品種類,多達(dá)100多種,相對于Si,金剛石薄膜,TiO2,鉆石等紫外探測器,擁有巨大的優(yōu)勢!是您紫外探測應(yīng)用的*產(chǎn)品!
產(chǎn)品特點(diǎn):光譜響應(yīng)范圍*于200-400nm 或 (210-380nm),不需要額外的濾光片來屏蔽可見光或紅外輻射 紫外碳化硅SiC光電探測器(190nm-400nm)

詳細(xì)介紹

紫外碳化硅SiC光電探測器(190nm-400nm)

一、JEA系列單獨(dú)封裝探測器:

 

1JEA系列SiC探測(可選擇耐高溫至150℃)

Detector Model Number

Active area

(mm2)

Spectral range

(nm)

Reverse voltage

(V)

Peak wavelength     (nm)

Spectral responsivity

(A/W)

Dark current

(fA)

Capacitance

(pF)

Fieldof view (FOV) degree

Typ

Max

JEA0.1

JEA0.1I

TO39/ TO39i

0.365*0.365

210-355

20

265

0.16

0.18

10

30

+/-40

JEA0.1S

JEA0.1ISZ

TO18/ TO18i

0.365*0.365

210-355

20

265

0.16

0.18

10

30

+/-27

JEA0.1SS

JEA0.1ISSZ

(TO52/ TO52i

0.365*0.365

210-355

20

265

0.16

0.18

10

30

+/-40

JEA0.25

JEA0.25I

TO39/ TO39i

0. 55*0. 55

205-355

10

265

0.16

0.18

10

75

+/-45

JEA0.25S

JEA0.25ISZ

TO18/ TO18i

0. 55*0. 55

205-355

10

265

0.16

0.18

10

75

+/-35

JEA0.25SS

JEA0.25ISSZ

TO52/ TO52i

0. 55*0. 55

205-355

10

265

0.16

0.18

10

75

+/-40

JEA2

JEA2I

(TO-39/ TO39i)

1,415x1,415

215-355

20

265

0.13

0.15

200

400

+/-45

JEA2S

JEA2ISZ

(TO-18/ TO18i )

1,415x1,415

215-355

20

265

0.13

0.15

200

400

+/-35

JEA2SS

JEA2ISSZ

(TO-52/ TO52i )

1,415x1,415

215-355

20

265

0.13

0.15

200

400

+/-40

JEA5

 (TO-39 )

Ø 2,525

215-360

20

270

0.14

0.16

500

1000

/

JQC 5

(TO-39)

4×*1.25

(<0.2mm)

215-360

20

270

0.14

/

100

250

/

注:以上探測器的工作溫度是-45℃至100儲(chǔ)存溫度是-40℃至100℃,焊接溫度是260℃。

 

紫外碳化硅SiC光電探測器(190nm-400nm)

二、JEA系列帶濾光片的SiC探測器:

 

Detector Model Number

Active area

(mm2)

Spectral range

(nm)

Reverse voltage

(V)

Peak wavelength (nm)

Spectral responsivity

(A/W)

 

Typ

Dark current

(fA)

Capacita-nce

(pF)

Height of package H

mm

Fieldof view (FOV) degree

JEA0.1C

(TO5)

 

 

0,365x0,365

225-280

10

265

0.18

 

 

10

 

 

30

4.5

+/-45

JEA0,1BC (TO5)

228-322

275

0.19

4.5

+/-45

JEA 0.1B

(TO5)

265-322

300

0.12

6.8

+/-45

JEA 0.1C-S

(TO18)

 

 

0,365x0,365

220-280

265

0.18

 

 

10

 

 

30

 

5.2

+/-25

JEA0,1BC-S(TO18)

228-322

275

0.19

+/-25

JEA 0.1B-S

(TO18)

265-322

300

0.12

+/-25

JEA1C

(TO)

 

 

1*1

225-280

265

0.18

 

 

10

 

 

30

4.5

 

+/-45

JEA1BC

(TO)

228-322

275

0.19

4.5

+/-45

JEA1B

(TO)

265-322

300

0.12

6.8

+/-45

JEA2C

(TO)

 

 

 

1.415*1.415

225-280

265

0.18

200

400

4.5

 

+/-45

JEA2BC

(TO)

228-322

275

0.19

4.5

+/-45

JEA2B

(TO)

265-322

300

0.12

6.8

+/-45

 

注:以下探測器的工作溫度是-25℃至70℃,儲(chǔ)存溫度是-40℃至100℃,焊接溫度是260℃。

注:反向電壓是20V

紫外碳化硅SiC光電探測器(190nm-400nm)

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