①高靈敏度InGaAs焦平面探測器

①熒光成像

②640x512像素分辨率，25um像元尺寸

②NIR-II近紅外成像

③光譜響應范圍0.9um~1.7um

③天文觀測

④-80℃深度制冷

④半導體故障分析

⑤超長曝光時間

⑤高/超光譜成像

⑥無需水冷

⑥單氧分子成像

⑦對比度可調節

⑦量子點成像

⑧USB接口

技術指標

⑧EL/PL（光致發光/電致發光）

探測器類型

銦鎵砷FPA

光譜響應

0.9μm ~ 1.7μm

像素

640 x 512

像間距

25um

有效面積

16mm x 12.8mm

量子效率

>70%（1000nm-1600nm）

制冷溫度

-10℃—-80℃（可任意設置）

滿阱容量

118Ke^-@High Gian

1.9Me^-@Low Gian

有效像元

＞99.5%

響應線性度

＜2%

制冷方式

TE + air cool

暗電流

＜800e^-/p/sec@25℃

讀出噪聲

＜30 e^- @High Gian

圖像

幀率

20 Hz （可定制）

窗口模式

支持

曝光方式

全局快門

曝光時間

1ms ~ 1/幀頻 （＞1min）

數字位數

14 bit  

圖像格式

tiff / jpg

板載圖像處理

自動/手動曝光；手動增益；非均勻性校正；盲元校正

圖像功能

幀頻選擇、同步方式選擇、灰度閾值調節、灰度定量映射、添加偽彩、圖像回放、設置信息保存

接口

輸出/控制接口

USB2.0

外部觸發

MCX

光學接口

C/CS

供電

電源輸入

220V AC

功耗

＜3 W@TEC off  

峰值功耗

＜600W@-80℃

環境適應性

工作溫度

0℃ ~ ﹢40℃

存儲溫度

-10℃ ~ +50℃

物理特性

重量

≤4kg （不含電源適配器）

尺寸

＜70mm x 70mm x 240mm