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320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測(cè)器返回列表頁

舉報(bào) 評(píng)價(jià)

參考價(jià):17

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

型號(hào)
LD-FPA-320x256
品牌
其他品牌
廠商性質(zhì)
生產(chǎn)商
所在地
西安市

規(guī)格

1 17元 1 件可售

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更新時(shí)間：2025-02-11 14:53:28瀏覽次數(shù)：6059次

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產(chǎn)品分類品牌分類

銦鎵砷短波探測(cè)器: 線陣短波InGaAs探測(cè)器 320×256InGaAs探測(cè)器 640×512InGaAs探測(cè)器

全部產(chǎn)品列表

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)地類別	國(guó)產(chǎn)	價(jià)格區(qū)間	面議
應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,生物產(chǎn)業(yè),航空航天,電氣,綜合	響應(yīng)波段	0.9-1.7um

320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測(cè)器，此InGaAs焦平面陣列是應(yīng)用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術(shù)，尤其是在非制冷條件下的優(yōu)化解決方案，CLPT的核心技術(shù)是實(shí)現(xiàn)優(yōu)良品質(zhì)的InGaAs焦平面陣列，CLCC封裝也便于CCD與CMOS數(shù)碼相機(jī)銷售商的機(jī)械設(shè)計(jì)。

詳情介紹

LD-FPA-320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測(cè)器

320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測(cè)器

InGaAs短波焦平面探測(cè)器產(chǎn)品應(yīng)用在近紅外成像和光譜技術(shù)成像上，包括非制冷型（無TEC）和制冷型（TEC）型。產(chǎn)品應(yīng)用穩(wěn)定成熟的工藝，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該產(chǎn)品選用常規(guī)封裝，便于CCD與CMOS相機(jī)集成商的機(jī)械設(shè)備；集成嵌入式TEC進(jìn)一步提高了探測(cè)器的靈敏度，并通過密閉金屬封裝來實(shí)現(xiàn)其高可靠性。

產(chǎn)品型號(hào)

InGaAs面陣探測(cè)器的響應(yīng)波段為900-1700nm/2200nm，目前可提供320x256和640x512陣列。此陣列探測(cè)器利用覆晶裝訂技術(shù)可以使其與讀出電路緊密結(jié)合，同時(shí)采用LCC及Kovar氣密封裝，且表面鍍有抗反射膜。我們可以根據(jù)客戶的需求定制封裝不同的產(chǎn)品。

型號(hào)	FPA-320×256-C	FPA-320×256-K-TE1/TE2	FPA-320×256-K-2.2-TE2
材料	InGaAs	InGaAs	InGaAs
響應(yīng)波段	0.9um-1.7um	0.9um-1.7um	1.2um-2.2um
圖像分辨率	320×256	320×256	320×256
像元尺寸	30um	30um	30um
靶面尺寸	9.6mm×7.68mm	9.6mm×7.68mm	9.6mm×7.68mm
封裝	44-pin CLCC	28-pin MDIP	28-pin MDIP
重量	1.6g	24.6g/25.6g	24.6g
有效像元率	>99.5%	>99%	>97%
暗電流	<0.4pA	≤0.4pA	≤10pA
量子效率	≥70%	≥70%	≥70%
填充率	＞99%	＞99%	＞99%
串?dāng)_	＜1%	＜1%	/
探測(cè)率	≥5×1012J	≥5×1012J (TE1) ≥7.5×1012J(TE2)	≥1×1012J
響應(yīng)非均勻性	≤10%	≤10%	≤40%
非線性(最大偏差)	≤2%	≤2%	≤2%
最大像素率	10MHz	10MHz	10MHz
增益	High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e-	High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e-	High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e-
滿阱容量	High:170Ke- Low:3.5Me-	High:170Ke- Low:3.5Me-	High:170Ke- Low:3.5Me-
TEC 制冷	無	TE1/TE2	TE1/TE2
工作溫度	-20℃—85℃	-20℃—85℃	-20℃—85℃
儲(chǔ)存溫度	-40℃—85℃	-40℃—85℃	-40℃—85℃
功耗	175mw	175mw**	175mw**