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Crystal Systems專有的HEM技術可產生直徑達220 mm的晶體尺寸的優質晶體結構。由HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石晶體制成的超快激光光學元件的波前值為1/10或更高，FOM值高達1000。
低損傷HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石激光材料在Crystal Systems的光學制造設施中加工，具有極其緊密的幾何形狀和晶體對準。晶體質量和光學制造工藝的各個方面都通過專業測試和測量設備進行驗證。我們提供有關HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石激光光學器件的激光、光學和機械屬性的詳細質量報告。
Crystal Systems與國際高強度激光專家社區合作，開發了目前HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石超快激光光學器件。能夠提供 200 mm 和 220 mm HEM Ti：Sapphire 激光光學器件，以支持當今的高強度激光設施。
直徑 220 mm
出色的均勻性
熱性能
高效指標
無散射
高激光損傷閾值
提供大尺寸和高摻雜材料
532 nm 的 Alpha 值 0.5-8.0/cm
FOM（品質因數）與吸收 – HEM® 工藝旨在最大限度地提高 532 nm 處的吸收，并減少 800 nm 處的寄生吸收，從而提供業內最高的 FOM 值。每個晶體系統HEM® Ti：藍寶石晶體都經過實際FOM值測試，這些值是業內最高的（高達1000）。
HEM Ti：Sapphire 的可調范圍 – HEM® Ti：sapphire 具有從 650 nm 到 1200 nm 的寬可調范圍，峰值強度約為 800 nm。材料的寬帶寬允許短脈沖和高重復率。我們的 Ti：Sapphire 激光光學器件提供一系列鈦摻雜濃度（0.5 至 8.0 @ alpha 532 nm），允許調整整體路徑長度設計，以滿足您的總低功耗單次吸收 （LPSP）。
吸收/熒光 – Ti:Sapphire 鈦藍寶石激光器通常使用π偏振操作。該圖表顯示了HEM® Ti：Sapphire在π偏振中的吸收和熒光帶。
布魯斯特角激光晶體 – 我們大多數較小的晶體都用布魯斯特角（Brewster’s Angle ）端拋光，以最大限度地減少反射損失。布魯斯特角基于材料的折射率。Ti：Sapphire 的折射率為 ~1.76，從而產生 ~60.4° 的布魯斯特角。我們的C軸旋轉精度受到嚴格控制，以避免激光調制。
先進的激光拋光和高損傷涂層 – Crystal Systems將先進的拋光技術應用于其高功率激光光學器件，以產生埃級粗糙度和低次表面損傷。我們進行測試以確保高且可重復的激光損傷閾值。
防反射鍍膜 – 晶體系統為多通放大器晶體提供先進的增透鍍膜。我們的涂層設計用于在泵浦和激光波長下提供最大效率。AR涂層在現場成功運行，具有始終如一的高激光損傷閾值結果，使激光操作員能夠準確地計算泵浦功率，從而以較低的損壞風險大化功率輸出。
高品質HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石激光晶體以的晶體結構和正確的3+價電子態開始。我們通過多階段、嚴格的檢測流程，使用先進的測試和測量設備，確保這些要求。我們測試棒材的吸收值、均勻性、光散射、FOM、平坦度和透射波鋒。每個HEMTi：藍寶石激光棒都使用先進的設備和專業的激光技術人員進行檢查和驗證。對質量和精度的全力關注保證了我們的激光晶體尺寸、表面和晶體結構為您的激光平臺的高功率水平和出色的光束分布奠定了基礎。® ®
HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石的寬發射范圍（650 nm 至 1200 nm）、高功率密度泵浦能力以及出色的熱性能使當今的高強度激光平臺成為可能。這些設施正在創造下一代基于激光的應用，如質子治療、加速器物理、核物理、遠場物理、紅外光譜和材料表征。Crystal Systems與客戶密切合作，開發新的晶體設計，以便超快激光社區能夠繼續提高其產品的可靠性和性能。®
以下測試結果來自Crystal Systems對HEMTi：Sapphire Amplifier Crystals上使用的AR涂層進行的定期測試之一。這些結果代表了我們的涂層可以預期的損傷閾值。®
測試類型：激光損傷閾值
基板材料：HEM Ti：藍寶石
試樣尺寸：直徑 1"
涂層類型：AR
測試波長： 532 nm
入射角：0o
脈沖重復頻率：10 Hz
極化：線性
測試光束輪廓：透射電鏡脈沖寬度（FWHM）：10 ns 軸向模式：多S
凹坑直徑： 570 μm
site數： 80
測試方法：激光損傷頻率
曝光持續時間：200shots/site
損傷定義：等離子體，增加的He-Ne散射，使用100X Nomarski明場顯微鏡觀察到的可見損傷。
結果描述：部分以13.00 Jcm-2照射，10個點未損壞
激光傷害閾值：在 14.16 Jcm-2 峰值通量下計算
測試由Spica Technologies Inc.公司提供。
| 等級 | 高度均勻的結晶 HEM 生長鈦：藍寶石晶體 |
| 拋光方式 | 激光拋光（10-5 或更好的布魯斯特角截面） |
| 藍寶石純度 | |
| jignxi | 90° |
| 平整度 | L/10 平面度@632nm |
| 外徑面 | 精細研磨 |
| TWE | L/4 PV @632nm 可最大限度地減少空間變化并最大限度地提高光束質量 |
| 直徑 | PL (毫米) | Alpha@532nm | LPSP@532nm | FOM |
| 3.0mm x 3.0mm | 4.8 | ~3.50cm-1 | ~81% | > 200 |
| 3.0mm x 3.0mm | 2.9 | ~7.00cm-1 | ~87% | > 100 |
| 1.5mm x 3.0mm | 5 | ~5.00cm-1 | ~92% | > 150 |
| 4.0mm x 6.0mm | 4 | ~5.50cm-1 | ~89% | > 150 |
| 2.0mm x 4.0mm | 23 | ~1.05cm-1 | ~91% | > 400 |
| 4.0mm x 4.0mm | 20 | ~1.40cm-1 | ~94% | > 375 |
| 5.0mm ? | 5 | ~5.00cm-1 | ~92% | > 150 |
| 5.0mm ? | 20 | ~1.40cm-1 | ~94% | > 375 |
| 6.2mm ? | 20 | ~1.30cm-1 | ~93% | > 400 |
| 6.3mm ? | 25.4 | ~1.00cm-1 | ~92% | > 400 |
| 等級 | HEM生長，具有高度均勻的晶體結構 |
| 拋光類型 | 低傷害超級拋光面，（Ra < 2 ? RMS） |
| 徑向 | 90° |
| 取向 | （(1120) A-axis, ± 1° |
| 直徑公差 | ± 0.1 mm |
| 平整度 | L/10 平整度@632nm |
| 外徑表面 | 精細研磨 |
| TWE | L/4 P-V @632nm，可最大限度地減少空間變化并最大限度地提高光束質量 |
| 鍍膜 | 高損傷閾值增材膜 |
| AR鍍膜反射 | TBD |
| 激光損傷閾值測試 | TBD |
| 直徑 | PL（mm） | LPSP @532nm |
| 6mm ? | 15 | ~92% |
| 8mm ? | 15 | ~92% |
| 10mm ? | 15 | ~92% |
| 15mm ? | 15 | ~92% |
| 16mm ? | 20 | ~92% |
| 16x 16mm2 | 20 | ~92% |
| 20mm ? | 20 | ~92% |
| 25mm ? | 20 | ~92% |
| 30mm ? | 20 | ~92% |
| 40mm ? | 25 | ~92% |
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