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目錄:上海屹持光電技術有限公司>>太赫茲>>太赫茲元件>> HRFZ-Si高阻抗本征硅

高阻抗本征硅
  • 高阻抗本征硅
參考價10000-50000/件
具體成交價以合同協議為準

參考價:¥10000 ~ ¥50000

具體成交價以合同協議為準
  • 其他品牌 品牌
  • HRFZ-Si 型號
  • 代理商 廠商性質
  • 上海市 所在地

更新時間:2025-03-12 19:08:35瀏覽次數:1265評價

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產地類別 進口 應用領域 電子/電池
高阻抗本征硅
除了人造金剛石,高阻抗的本征硅(高阻硅)材料是適合極寬范圍從(1.2 µm) 到mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各項同性晶體材料。和鉆石相比,它要便宜的多,并且生長制造更容易。而且他尺寸更大,更容易制造,THz技術的快速發展,就基于該優點。

產品簡介     

      除了人造金剛石,高阻抗的本征硅(高阻硅)材料是適合極寬范圍從(1.2 µm) mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各項同性晶體材料。和鉆石相比,它要便宜的多,并且生長制造更容易。而且他尺寸更大,更容易制造,THz技術的快速發展,就基于該優點。對于THz應用,我們提供在1000 µm (對于更長波長,3000甚至8000微米)透過率達到50-54%High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。高阻抗浮區本征硅材料,和相關光學元件。


      合成電解質硅的介電常數由傳導率決定(例如:自由電子-載流子濃度)。圖3顯示的是在1THz下,不同純度下的硅的介電常數.低摻雜的介電常數接近真實值,大約等于高頻介電常數。隨著摻雜濃度的提高,真實的介電常數將變成負數,而且不能被忽略。介電常數表征的是THz波的傳輸損耗特性。損耗系數可以用下面的公式計算:tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 這里 ω – 圓頻率, εv – 真空下的介電常數(8.85*10-12 F/m)。ε0 –硅的介電常數(11.67), R是電阻值。例如,1THz下,10 kOhm 阻值的HRFZ-Si損耗系數為1.54*10-5。


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