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目錄:上海屹持光電技術有限公司>>光學元器件>>材料和鍍膜>> LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

低溫砷化鎵基片外延生長定制
  • 低溫砷化鎵基片外延生長定制
參考價1000-10000/臺
具體成交價以合同協議為準

參考價:¥1000 ~ ¥10000

具體成交價以合同協議為準
  • 其他品牌 品牌
  • LT-GaAs 型號
  • 代理商 廠商性質
  • 上海市 所在地

更新時間:2025-03-12 11:58:58瀏覽次數:1297評價

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供貨周期 兩周 應用領域 環保,化工,電子/電池
低溫砷化鎵基片外延生長定制基底上生長高質量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層,適用于不同應用。

LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物,黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在,并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料,其電子遷移率高、介電常數小,能引入深能級雜質、電子有效質量小,能帶結構特殊,可作外延片。

1、半導體光電子器件結構生長

我們可在GaAs砷化鎵基底上生長高質量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層,適用于不同應用。

2、低溫砷化鎵

對于某些應用需要快速響應裝置,例如光學探測器、可飽和吸收器 或光電導天線。我們提供低溫外延生長器件,響應時間短至1  ps。

我們可提供以下在GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的低溫砷化鎵。

低溫砷化鎵基片外延生長定制參數如下:

  • 砷化鎵晶片直徑:2" 或4"

  • 最大薄膜疊層厚度:5 μm

規格:

  • LT-GaAs-50.8:2"(50.8 mm)LT-GaAs晶片

  • LT-GaAs-100:4"(100 mm)LT-GaAs晶片

  • LT-InGaAs-100:4"(100  mm)LT-InGaAs晶圓片

  • LT-GaA-100-C:具有定制金屬結構的4"(100  mm)LT-GaAs晶圓片


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