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北京宏昌信科技有限公司>> 原子層沉積

原子層沉積

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更新時(shí)間:2015-11-17 11:19:29瀏覽次數(shù):2927

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產(chǎn)品簡介

原子層沉積(ALD)是一種真正的"納米"技術(shù),以精確控制的方式沉積幾個(gè)納米的超薄薄膜。 的兩個(gè)限定性特征--自約束的原子逐層生長和高度保形鍍膜--給半導(dǎo)體工程,微機(jī)電系統(tǒng)和其他納米技術(shù)應(yīng)用提供了許多好處。

詳細(xì)介紹

原子層沉積的優(yōu)點(diǎn)

  • 因?yàn)樵訉映练e工藝在每個(gè)周期內(nèi)精確地沉積一個(gè)原子層,所以能夠在納米尺度上對沉積工藝進(jìn)行*控制
  • 即使在非常高的縱橫比和復(fù)雜結(jié)構(gòu)的條件下,保形鍍膜也能夠?qū)崿F(xiàn)
  • 可實(shí)現(xiàn)無針孔和顆粒的沉積

  • 很多種類的材料都可以采用:
    氧化物:包括HfO2, HfSiO, Al2O3, Ta2O5, TiO2, La2O3, SiO2, ZnO
    氮化物,包括TiN, TaN, AlN, SiNx, HfN
    金屬,包括Ru, Cu, W, Mo

周期

Al2O3_TMA-Dose

1. TMA源

遠(yuǎn)程等離子體的優(yōu)點(diǎn)

除了具有熱的優(yōu)點(diǎn),遠(yuǎn)程等離子體允許更廣泛地選擇用作源的化學(xué)品,同時(shí)還提高薄膜質(zhì)量:

  • 等離子體能夠?qū)崿F(xiàn)低溫的工藝,遠(yuǎn)程源能維持低的等離子體損傷
  • 采用氫氣等離子的更有效的金屬源,而不是復(fù)雜的加熱的源
  • 消除了水作為一種源的需要,減少了每個(gè)周期之間的清洗次數(shù)--尤其是在低溫條件下。
  • 通過進(jìn)一步的去除雜質(zhì)來獲得更高質(zhì)量的薄膜,從而獲得更低的電阻率、更高的密度、等。
  • 能夠控制化學(xué)計(jì)量
  • 等離子體表面處理
  • 對于某些材料可以采用等離子體清洗反應(yīng)室
Al2O3_TMA-Purge

2. TMA清洗

的應(yīng)用

包括:

  • 高K值的柵極氧化物
  • 儲能電容器介質(zhì)
  • 用于有機(jī)發(fā)光二極管和聚合物的無針孔的鈍化層
  • 單晶硅太陽能電池的鈍化
  • 用于Cu互聯(lián)的高縱橫比的擴(kuò)散阻擋層
  • 黏合層
  • 有機(jī)半導(dǎo)體
  • 用于微流體和微機(jī)電系統(tǒng)應(yīng)用的高保形鍍膜
  • 其他納米技術(shù)和納米電子應(yīng)用
  • 納米孔結(jié)構(gòu)的鍍膜
  • 燃料電池,如催化層的單種技術(shù)鍍膜
  • 生物微機(jī)電系統(tǒng)

Al2O3_O2-Plasma

3. O2等離子體

 

Al2O3_Post-Plasma

4.短時(shí)間的后期O2等離子體清洗

牛津儀器的工具

特征

OpAL™

FlexAL ®

襯底

zui大到200mm直徑晶片,小片可直接裝載

zui大到200mm直徑晶片,小片需放置在一塊載片板上

鼓泡的液體和固體源

zui多3個(gè)

zui多4個(gè)

zui高的源溫度

200oC(外套)

200oC(烘箱和外套)

晶片傳送(包括源坩堝)

包括

包括

具有快速傳送系統(tǒng)的質(zhì)量流量計(jì)控制的氣體管線
1)
熱的氣源(如NH3O2
2)
等離子體氣體(如O2N2H2

內(nèi)部2個(gè),外部zui多8個(gè)安裝好的氣箱

外部zui多8個(gè)安裝好的氣箱

等離子體

配件/現(xiàn)場升級

配件

進(jìn)樣

開放進(jìn)樣

真空進(jìn)樣室或進(jìn)樣盒

和其他工藝模塊的聯(lián)接

不能

可以-包括作為特殊配件的第三方MESC模塊

載片臺的溫度范圍

25ºC – 400ºC

25ºC – 400ºC (550ºC 可選備件

橢偏儀端口

Swagelok10毫秒快速脈沖閥

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