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1. 離子能量和離子電流密度分別控制
2. 典型的工藝壓強：1-10 毫托
3. 等離子體密度：大約5×1011/cm2
4. 等離子體和襯底相接觸
5. 沉積過程中離子電流的能量低
6. 離子電流(等離子體密度)取決于ICP的功率
7. ESS(靜電屏蔽)功能做到真正的感應耦合
產品簡介
詳細介紹
感應耦合等離子體-化學氣相沉積（ICP-CVD）
主要特點
1. 離子能量和離子電流密度分別控制
2. 典型的工藝壓強：1-10 毫托
3. 等離子體密度：大約5×1011/cm2
4. 等離子體和襯底相接觸
5. 沉積過程中離子電流的能量低
6. 離子電流（等離子體密度）取決于ICP的功率
7. ESS（靜電屏蔽）功能做到真正的感應耦合
典型應用:
1. 面向剝離技術的低溫沉積
2. 低溫沉積超高質量二氧化硅
3. 低溫沉積多晶硅
4. ICP是*自動匹配（2個射頻自動匹配單元）
牛津儀器的ICP CVD工具
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| 特征 | Plasmalab System 80Plus | Plasmalab System100 | Plasmalab System133 |
|
| ICP65 | ICPCVD180 | ICPCVD380 |
| 電極尺寸 | 240mm | 240mm | Up to 330mm |
| 進樣 | 開放進樣 | 真空進樣 | 真空進樣 |
| 襯底 | 50mm wafers 2英寸晶片 | 6英寸，可以選擇多片或小片的載片臺 | 8英寸，可以選擇多片或小片的載片臺 |
| 摻雜劑 | 不行 | 包括PH3，B2H6和GeH4在內的多種摻雜劑 | 包括PH3，B2H6和GeH4在內的多種摻雜劑 |
| 液體源 | 不行 | 不行 | 不行 |
| 質量流量計控制的氣體管線 | 可使用8或12根管線 | 可使用8或12根管線 | 可使用8或12根管線 |
| 載片臺的溫度范圍 | 20°C到 400°C | 0°C 到 400°C | 0°C 到400°C |
| 在位等離子體清洗 | 可以 | 可以 | 可以 |
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