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用感應耦合等離子體源進行等離子體增強化學氣相沉積(2或13兆赫茲)
感應耦合等離子體
產品簡介
詳細介紹
射頻驅動基板電極
• 沉積溫度：20-100 oC
• 低壓（小于 10 毫托），為了的電學品質
• 無NH3的工藝過程
• 速率：5-100 納米/分鐘
• 在6英寸晶片上良好的均勻性
• 擊穿場強大于4 ×106 伏/厘米
• 折射率可在1.77至2.54范圍內調整
• 應力小于100 兆帕
• 膜應力可在25兆帕壓應力至25兆帕張應力范圍內變化（無外加偏壓）
• 紅外透射譜無N-H鍵吸收峰
感應耦合等離子體化學氣相沉積 SiN
• 保形沉積
• 同一批次的均勻性公差在± 2 - 4 %
• 沉積速率一般為10-15 納米/分鐘，zui大100納米/分鐘
• 折射率典型值2.0，但可在1.8至2.5范圍內調控
• 薄膜應力在-1 GPa 至 +0.5 GPa范圍內*可控
• 緩沖氫氟酸（5：1）腐蝕速率小于30 納米/分鐘
• 氫氧化鉀腐蝕速率小于0.5 nm/分鐘
• 針孔/顆粒密度小于0.1/平方厘米
無氨氣等離子體增強化學氣相沉積氮化硅
• 沉積溫度250-350 oC
• 沉積速率7-12 納米/分鐘
• 折射率 2.00
• 薄膜厚度變化（十字工作臺）小于± 3%
• 薄膜厚度變化（每次工藝過程之間）小于± 2%
• 折射率變化（十字工作臺）小于± 1%
• 折射率變化（每次工藝過程之間）小于± 1%
• 腐蝕速率（1：20 氫氟酸：去離子水）小于 20納米/分鐘*
• 混頻條件下，擊穿場強大于8.5 ×106 伏/厘米 應力小于50 兆帕
• 適合于330oC在InP層上進行等離子體增強化學氣相沉積
• 甚至在低沉積溫度（大約100 oC）下也能產生出穩定的薄膜性質
• 采用可選的雙頻（高頻和低頻）技術實現對應力的控制
* 在330 oC，更高的溫度工藝提供更低的緩沖氫氟酸腐蝕速率，但是不推薦InP基晶片使用
- PECVD
- ICP CVD
- 離子束
- 注釋
附加注釋：
1. 以上給出的數據對應于高頻薄膜。
2. 低應力值的測量精度高度依賴于以下條件：
1. 以上給出的數據對應于高頻薄膜。
2. 低應力值的測量精度高度依賴于以下條件：
- 薄膜沉積前后晶片曲率的測量精度
- 應力測量所用的晶片的品質和預應力處理
- 要求薄膜厚度足夠厚（>5000Å）以便得到可精確測量的晶片曲率
3. 以上結果是在硅襯底上進行實驗得到的。
4. 進行下一次處理前，需要對處理室進行清潔和調節，以獲得*的重復性。推薦的zui小調節厚度為2000-3000A。牛津儀器公司將依據客戶系統的應用和目的，為其提供詳細的處理室清潔和調節流程。
5. 均勻性測量標準定義：
| 晶片內部均勻性測量如下圖所示5個點的數據： | 不同批次的均勻性（重復性）通過求取連續5個批次的晶片的平均值獲得。 |
 | 折射率均勻性的計算方法如下：  折射率均勻性的計算方法如下： |
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