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上海添時科學儀器有限公司

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[供應]非極性GaN晶體基片

貨物所在地：上海上海市

更新時間：2025-01-01 21:00:08

有效期：2025年1月1日 -- 2025年7月1日

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非極性GaN晶體基片

產(chǎn)品名稱：

非極性氮化鎵(GaN)晶體基片

技術(shù)參數(shù)：

晶體定位面：

A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.

傳導類型：

N型；半絕緣型

電阻率：

R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm

表面粗糙度：

<0.5nm

位錯密度：

<5x106Ω.cm

可用表面積：

>90%

TTV:

≤15um；

 

產(chǎn)品規(guī)格：

常規(guī)尺寸：10x5x0.5mm；

厚度公差：+/-0.05mm；

注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。

標準包裝：

1000級超凈室100級超凈袋

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