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高真空電子東及熱阻蒸發薄膜沉積系統--DZS500
真空室結構:U形前開門
真空室尺寸:500x500x600mm
極限真空度:≤6.67E-5Pa
沉積源:4個11cc坩堝
樣品尺寸，溫度:φ4英寸，1片，最高800C
占地面積(長x寬x高):約2.7米x1.7米x2.1米
電控描述:全自動
工藝:片內膜厚均勻性:≤+3%
特色參數:樣品可自轉，轉速可調
產品概述：
本沉積系統可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質保護薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩定、模塊化結構，采用行業的軟件控制系統。
設備特點：
本設備是一個鍍膜平臺，可把磁控靶拆下換電子槍成為電子束鍍膜系統、或換蒸發源作為熱蒸發系統、或換上離子槍作為離子束鍍膜系統等。
設備用途：
用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研項目
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