| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 能源,電子/電池,電氣 |
脈沖激光沉積鍍膜設備
（Pulse Laser Deposition System）
原產(chǎn)國:美國
PLD脈沖激光沉積鍍膜設備介紹:
PLD是將脈沖激光透過合成石英窗導入真空腔內(nèi)照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態(tài)，然后被堆積到設在對面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學理論上準穩(wěn)定狀態(tài)的組成和構(gòu)造的人工合成新材料。
我們PLD系統(tǒng)擁有好的性能價比,具體技術參數(shù)配置:
1.靶: 數(shù)量6個，大小1-2英寸，被激光照射時可自動旋轉(zhuǎn)，靶的選擇可通過步進電機控制;
2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時基板可旋轉(zhuǎn)，工作環(huán)境大壓力是300mtorr;
3.基板加熱電源，高到1200度;
4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-8 pa;
5.樣品搬運室:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa;
6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機械泵;
7.閥門: 采用超高真空擋板閥;
8.真空檢測:真空計;
9.氣路兩套: 采用氣體流量計控制;
10.薄膜生長監(jiān)控系統(tǒng): 采用掃描型差分RHEED;
11.監(jiān)控軟件系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設定，基板和靶的旋轉(zhuǎn)，靶的更換等;
12.各種電流導入及測溫端子;
13.其它各種構(gòu)造:各種超高真空位移臺，磁力傳輸桿，超高真空法蘭，超高真空密封墊圈，超高真空用波紋管等;
用戶用少的錢買到研究級高性能的純進口PLD系統(tǒng)。
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