| 價格區間 | 面議 | 應用領域 | 電子/電池,電氣,綜合 |
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超高真空磁控濺射鍍膜系統
超高真空磁控濺射鍍膜系統（UHV SPUTTER）
儀器介紹:
美國專業的制造商PVD公司是一家在磁控濺射沉積，電子束蒸發沉積，脈沖激光沉積等領域有著20年制造經驗。
我司代理的PVD公司生產的磁控濺射系統可以實現在最大300mm襯底上沉積金屬和電介質薄膜。使用RF、DC或脈沖DC電源的磁控濺射源可以單個模式或者聯合-沉積模式工作，以便生產可以對滿足廣泛的薄膜要求。我司生產的鈦磁控濺射源的尺寸可從1 inch（25mmm)到8inch（200mm)任選 ,并搭配內置傾斜裝置以滿足按照沉積工藝進行的微調。襯底支架符合最大300mm直徑的晶片需求，并可對晶片加熱至850°C及加載RF偏壓。磁控濺射系統可按客戶需求增減其他窗口用于諸如殘余氣體分析（RGA）、反射高能電子衍射（RHEED)或橢偏儀（ellipsometry）。
技術參數：
Vacuum Chamber: 304不銹鋼圓柱形腔體，滿足不同客戶的定制需求。
Pumping: 分子泵或冷凝泵，機械泵真空系統
Load Lock: 手動傳片或自動傳片,適合各種形狀尺寸的小片到300mm大的圓片，高真空背景傳遞
Process Control: PC / PLC自動控制界面，菜單控制，數據獲取和遠程控制
In-Situ Monitoring & Control: QCM膜厚監控，光學膜厚監控，RGA殘余氣體分析
Substrate Fixture: 單片，多片，星狀襯底夾具
Substrate Holders: 可加熱，冷卻，偏壓，旋轉
Ion Source: 襯底預清洗，納米表面改性
Deposition Techniques
Magnetron Sputtering RF, DC, or Pulsed-DC;具有射頻濺射，直流濺射，脈沖直流濺射。
Glancing Angle Depostion (GLAD)Cathodic Arc Plasma Deposition 傾斜角度濺射。
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