| 應用領域 | 電子/電池,電氣,綜合 |
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無掩膜曝光機-光刻機
美國IMP（Intelligent Micro Patterning,LLC）公司憑借多年的光刻設備生產經驗和多項無掩模曝光技術，已成為無掩模紫外光刻領域的。國內參考用戶較多！
產品優點：
微米和亞微米光刻,最小0.6微米光刻精度
紫外光直寫曝光,無需掩模，大幅節約了掩模加工費用
靈活性高，可直接通過電腦設計光刻圖形，并可根據設計要求隨意調整。
可升級開放性系統設計。
按照客戶要求可從低端到定制，自由配置
使用維護簡單, 設備耗材價格低。
應用范圍廣，目前廣泛應用于半導體、生物芯片、微機電系統、傳感器、微化學、光學等領域。
SF-100 型
可配置汞燈光源和LED光源,多種波長曝光（385nm, 405nm）
目鏡最小像素 1um
1.25 micron with 4X reduction lens
0.50 micron with 10X reduction lens
0.25 micron with 20X reduction lens
無掩膜曝光機-光刻機
平臺參數
全自動電腦控制位移
高精度三維線性驅動樣品臺
X and Y 軸運動：
移動范圍: 100--300mm
準確性: +/-200 nm per axis
重復性: +/- 50 nm per axis
Z 軸運動：
移動范圍: 25 mm
準確性: +/- 200 nm
重復性: +/- 75 nm
Theta 轉動：
轉動角度: 360 degrees
準確性: +/-5 arc sec
重復性: +/-2 arc sec
激光共聚焦對準功能
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