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四探針測(cè)試儀測(cè)試儀型號(hào)：GSZ-RTS-3

手持式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法家標(biāo)準(zhǔn)并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而的，用于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
儀器采用了電子行、裝配。具有能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、度、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。

本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

　術(shù)　　標(biāo) ：

測(cè)量范圍	電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；方塊電阻：0.1～19999Ω/□；
恒源	電量程分為100μA、1mA兩檔，兩檔電連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV；分辨力：10μV；輸入阻抗：>1000MΩ；度：±0.1%；顯示：以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；性、量程自動(dòng)顯示；
四探針探頭基本標(biāo)	間距：1±0.01mm；針間緣電阻：≥1000MΩ；機(jī)械游移率：≤0.3%；探針：碳化鎢或速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5～16 牛頓（總力）；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)	（見探頭附帶的合格證）
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差	1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差	（用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試）≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度	≤5%
外型尺寸	185mm（長(zhǎng)）90mm（寬）30mm（）
重量	350g
電源	鋰電池，次充電可連續(xù)使用100小時(shí)；
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境	溫度：23±2℃；相對(duì)濕度：≤65%；無頻干擾；無強(qiáng)光直射；

產(chǎn)品名稱：數(shù)字熔點(diǎn)儀熔點(diǎn)儀
產(chǎn)品型號(hào)：HA-WRS-2

數(shù)字熔點(diǎn)儀熔點(diǎn)儀型號(hào)：HA-WRS-2

點(diǎn)：測(cè)定晶體物質(zhì)的熔點(diǎn)以確定其純度。主要用于藥物、染料、香料等晶體有機(jī)化合物熔點(diǎn)之測(cè)定。光電檢測(cè)，數(shù)字鍵盤輸入，大屏幕背光液晶顯示，屏幕直接顯示熔化曲線。有RS232接口。

主要參數(shù)：
熔點(diǎn)測(cè)定范圍：室溫～300℃
溫度顯示zui小示值：0.1℃
線性升溫速率： 0.2℃/min， 0.5℃/min， 1℃/min， 1.5℃/m2℃/min， 3℃/min， 4℃/min， 5℃/min八檔
測(cè)量準(zhǔn)確率：< 200℃： ±0.5℃， ≥200℃： ±0.8℃
儀器重量：11kg
儀器尺寸：398×280×170(mm)