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中美合資合肥科晶材料技術有限公司
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貨物所在地：安徽合肥市
更新時間：2025-01-22 21:00:06
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產品簡介詳細介紹
磷化銦(InP)晶體基片
技術參數：
單晶
InP
摻雜
None；Sn；S；Fe：Zn
3.0莫氏硬度
導電類型
N；N；N；Si；P
載流子濃度cm-3
1-2x1016 1-3x10181-4x1018 .6-4x1018
位錯密度cm-2
<5x104
生長方法
LEC
彈性模量
7.1E11dyn Cm-2
標準尺寸：<100>, dia2"x0.5mm,單拋;
<100>, 10x10x0.5mm,單拋；
表面粗糙度Ra：<15A
注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。
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