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AlN薄膜
  • AlN薄膜
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貨物所在地:安徽合肥市

更新時間:2024-12-01 21:00:07

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AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法,用來取代氮化鋁單晶襯底。科晶真誠歡迎您的垂詢!

產(chǎn)品名稱:

氮化鋁(AlN)薄膜

產(chǎn)品簡介:

AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法,用來取代氮化鋁單晶襯底??凭д嬲\歡迎您的垂詢!

技術參數(shù):

尺寸

 dia50.8mm±1mm

藍寶石襯底取向

 c軸(0001)±1.0deg

襯底:

 Al2O3;SiC;GaN

薄膜厚度:

10-5000nm

導電類型:

 半絕緣型

位錯密度:

XRD FWHM of <0002><500arcsec;

XRD FWHM of <10-12><1500arcsec;

有效面積:

>80%

拋光:

單拋光


  產(chǎn)品規(guī)格:


氮化鋁(藍寶石襯底):dia2"*1500nm±10%


注:可根據(jù)客戶需求定制特殊的方向和尺寸。

標準包裝:

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝


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