目錄:中美合資合肥科晶材料技術有限公司>>晶體產品>>A-Z系列晶體列表>> SiC晶體基片
產品名稱： | 碳化硅(SiC)晶體基片 | ||||||||||||||||||||||||
技術參數： |
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產品規格： | 摻雜類型：6H N型 <0001> 表示專門摻N的，摻雜濃度是10E18-10E19；4H N型；半絕緣； 拋光情況：單拋或雙拋； 表面粗糙度：Ra<10A 常規晶向 ：<0001>現可供應<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，單拋 一種低電阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一種是高電阻率（>10^5 ohm.cm) | ||||||||||||||||||||||||
標準包裝： | 1000級超凈室100級超凈袋包裝或單片盒、插盒裝 |
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