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磁場(chǎng)強(qiáng)度與磁感應(yīng)強(qiáng)度
點(diǎn)擊次數(shù)：1383 發(fā)布時(shí)間：2014-6-17
磁場(chǎng)強(qiáng)度矢量H是為了磁場(chǎng)的安培環(huán)路定理得到形式上簡(jiǎn)化而引入的輔助物理量。它的物理意義類似于電位移矢量D。從定義的操作方面來(lái)看，磁感應(yīng)強(qiáng)度是*只是考慮磁場(chǎng)對(duì)于電流元的作用，而不考慮這種作用是否受到磁場(chǎng)空間所在的介質(zhì)的影響，這樣磁感應(yīng)強(qiáng)度就是同時(shí)由磁場(chǎng)的產(chǎn)生源與磁場(chǎng)空間所充滿的介質(zhì)來(lái)決定的。相反，磁場(chǎng)強(qiáng)度則*只是反映磁場(chǎng)來(lái)源的屬性，與磁介質(zhì)沒(méi)有關(guān)系。這兩個(gè)概念在實(shí)際運(yùn)用中各有其方便之處。
磁場(chǎng)強(qiáng)度
magnetic intensity
描述磁介質(zhì)中磁場(chǎng)的一個(gè)輔助物理量。常用符號(hào)H表示，定義為H=(B/μo)-M式中B是磁感應(yīng)強(qiáng)度；M是磁化強(qiáng)度；μo是真空磁導(dǎo)率。在線性各向同性磁介質(zhì)中，M與H成正比，即M＝xmH，xm是磁介質(zhì)的磁化率。于是上式表為B＝μo（1＋xm）H＝μoμrH式中μr＝1＋xm稱為磁介質(zhì)的相對(duì)磁導(dǎo)率，上式是表征介質(zhì)磁化性質(zhì)的介質(zhì)方程。
磁介質(zhì)磁化后產(chǎn)生的磁化電流改變了原來(lái)的磁場(chǎng)分布，引入輔助量H是為了使未知的磁化電流不顯現(xiàn)在由H表述的磁場(chǎng)的安培環(huán)路定理之中。在認(rèn)清磁性起源于電流之前，曾認(rèn)為磁性起源于磁荷，并得到了與靜電庫(kù)侖定律相仿的磁庫(kù)侖定律。由此，把單位磁荷所受磁力定義為H，認(rèn)為H是描述磁場(chǎng)的基本物理量，并賦予其磁場(chǎng)強(qiáng)度的名稱，沿用至今。
在單位制（SI）中，磁場(chǎng)強(qiáng)度H的單位是安培／米（A／m）。
磁場(chǎng)強(qiáng)度與磁感應(yīng)強(qiáng)度的區(qū)別
磁場(chǎng)強(qiáng)度和磁感應(yīng)強(qiáng)度均為表征磁場(chǎng)性質(zhì)（即磁場(chǎng)強(qiáng)弱和方向）的兩個(gè)物理量。由于磁場(chǎng)是電流或者說(shuō)運(yùn)動(dòng)電荷引起的，而磁介質(zhì)（除超導(dǎo)體以外不存在磁絕緣的概念，故一切物質(zhì)均為磁介質(zhì)）在磁場(chǎng)中發(fā)生的磁化對(duì)源磁場(chǎng)也有影響（場(chǎng)的迭加原理）。因此，磁場(chǎng)的強(qiáng)弱可以有兩種表示方法：
在充滿均勻磁介質(zhì)的情況下，若包括介質(zhì)因磁化而產(chǎn)生的磁場(chǎng)在內(nèi)時(shí)，用磁感應(yīng)強(qiáng)度B表示，其單位為特斯拉T，是一個(gè)基本物理量；單獨(dú)由電流或者運(yùn)動(dòng)電荷所引起的磁場(chǎng)（不包括介質(zhì)磁化而產(chǎn)生的磁場(chǎng)時(shí)）則用磁場(chǎng)強(qiáng)度H表示，其單位為A/m2，是一個(gè)輔助物理量。
具體的，B決定了運(yùn)動(dòng)電荷所受到的洛侖茲力，因而，B的概念叫H更形象一些。在工程中，B也被稱作磁通密度（單位Wb/m2）。在各向同性的磁介質(zhì)中，B與H的比值即介質(zhì)的磁導(dǎo)率μ。