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一項(xiàng)利用光譜法測(cè)定硅片表面元素污染標(biāo)準(zhǔn)意見征集中
2020年07月20日 08:45:59
來(lái)源：化工儀器網(wǎng) 點(diǎn)擊量：5602
硅片表面元素污染的控制在半導(dǎo)體工業(yè)中非常重要，目前通常采用全反射X射線熒光光譜法對(duì)它們進(jìn)行測(cè)定。隨著超大規(guī)模集成電路制造的發(fā)展，目前要求對(duì)硅片表面含量極低的元素雜質(zhì)進(jìn)行測(cè)定，但由于表面污染問(wèn)題常常導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的使用壽命有限。因此，需要對(duì)工作標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的制備方法和測(cè)量方法進(jìn)行規(guī)定和標(biāo)準(zhǔn)化。
【化工儀器網(wǎng) 政策標(biāo)準(zhǔn)】硅片表面元素污染的控制在半導(dǎo)體工業(yè)中非常重要，目前通常采用全反射X射線熒光光譜法對(duì)它們進(jìn)行測(cè)定。隨著超大規(guī)模集成電路制造的發(fā)展，目前要求對(duì)硅片表面含量極低的元素雜質(zhì)進(jìn)行測(cè)定，但由于表面污染問(wèn)題常常導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的使用壽命有限。因此，需要對(duì)工作標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的制備方法和測(cè)量方法進(jìn)行規(guī)定和標(biāo)準(zhǔn)化。
近日，一項(xiàng)由國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)主管，中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院主要起草的，有關(guān)硅片表明元素污染的標(biāo)準(zhǔn)正面向社會(huì)征求意見。據(jù)悉，《表面化學(xué)分析 全反射X射線熒光光譜法(TXRF)測(cè)定硅片表面元素污染》是起草組依據(jù)GB/T 1.1-2009《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則 第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫》和《標(biāo)準(zhǔn)化工作指南 第2部分：采用標(biāo)準(zhǔn)》等標(biāo)準(zhǔn)制訂的，規(guī)定了一種測(cè)量經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光的或外延生長(zhǎng)的硅片表面元素污染的原子表面密度的檢測(cè)方法。
標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿顯示，實(shí)驗(yàn)的原理是當(dāng)樣品受到X射線輻射時(shí)，樣品中的元素產(chǎn)生具有特征能量的熒光X射線，熒光X射線的強(qiáng)度會(huì)與樣品中元素的含量成正比，而入射X射線在樣品上發(fā)生全反射減小了入射X射線在樣品中的穿透深度，這使得從樣品表面區(qū)域(包括沉積在硅片表面的原子)更多地選擇性激發(fā)出熒光X射線。因此，通過(guò)該試驗(yàn)?zāi)軌虻玫骄哂懈咝疟潮群托旁氡鹊腦射線熒光光譜。
需要注意的是，因本實(shí)驗(yàn)方法使用X射線輻照，因此，實(shí)驗(yàn)人員必須避免將身體的任何部位暴露于儀器設(shè)備產(chǎn)生的X射線中。更為重要的是，在操作過(guò)程中還應(yīng)保持手和手指處于X射線光路之外以及保護(hù)眼睛免受散射的二次X射線輻照。
據(jù)悉，標(biāo)準(zhǔn)化組織早在2000年就已經(jīng)發(fā)布了《表面化學(xué)分析 全反射 X 射線熒光光譜法(TXRF)測(cè)定硅片表面元素污染》，而本標(biāo)準(zhǔn)的制訂在一個(gè)方面也是與接軌，且很好地促進(jìn)了國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)的提升。相信標(biāo)準(zhǔn)在實(shí)施后能在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品質(zhì)量控制與保證方面起著重要的應(yīng)用價(jià)值，為此希望相關(guān)單位能在仔細(xì)研核后提出建設(shè)性意見，為標(biāo)準(zhǔn)的完善添磚加瓦。
更多詳情請(qǐng)點(diǎn)擊：《表面化學(xué)分析 全反射X射線熒光光譜法(TXRF)測(cè)定硅片表面元素污染》征求意見稿
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